GD25WD10CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25WD10CEIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLSH 1MBIT SPI/QUAD I/O 8USON

Aktiv8-XFDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR
Basis-TeilenummerGD25WD10
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße1Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Versorgungsspannung1.65V ~ 3.6V
Memory Organization128K x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-USON (2x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)