Allgemein
| Speichertyp | Non-Volatile |
|---|---|
| Technologie | FLASH - NOR |
| Basis-Teilenummer | GD25S512 |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 50µs, 2.4ms |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25S512MDYIGR
Speicher & Storage
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 512Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | FLASH |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 104 MHz |
| Versorgungsspannung | 2.7V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 64M x 8 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
| Hersteller-Gehäuse | 8-WSON (6x8) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|