GD25Q80EEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25Q80EEIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON

Aktiv8-XFDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR
Zugriffszeit7 ns
Basis-TeilenummerGD25Q80
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit70µs, 2ms

Elektrisch

Speichergröße8Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization1M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-USON (2x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)