GD25Q80CNIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25Q80CNIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON

Aktiv8-UDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR
Basis-TeilenummerGD25Q80
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit50µs, 2.4ms

Elektrisch

Speichergröße8Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz120 MHz
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization1M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-UDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-USON (4x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)