GD25Q32EWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25Q32EWIGR

Speicher & Storage

32MBIT, 3.3V, WSON8 6*5MM, INDUS

Aktiv8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit7 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit70µs, 2.4ms

Elektrisch

Speichergröße32Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization4M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WSON (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)