Allgemein
| Speichertyp | Non-Volatile |
|---|---|
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Zugriffszeit | 7 ns |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 90µs, 2ms |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q256EWIGR
Speicher & Storage
256MBIT, 3.3V, WSON8 6*5MM, INDU
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 256Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | FLASH |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Versorgungsspannung | 2.7V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 32M x 8 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
| Hersteller-Gehäuse | 8-WSON (5x6) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|