GD25Q16EWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25Q16EWIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON

Aktiv8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR
Zugriffszeit7 ns
Basis-TeilenummerGD25Q16
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit70µs, 2ms

Elektrisch

Speichergröße16Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization2M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WSON (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)