GD25Q128ESJGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25Q128ESJGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit7 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieGD25Q
Schreibzykluszeit140µs, 4ms

Elektrisch

Speichergröße128Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization16M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)