GD25LX256EFIRR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LX256EFIRR

Speicher & Storage

256MBIT, 1.8V, SOP16 300MIL, IND

Aktiv16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit6 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
Schreibzykluszeit50µs, 1.2ms

Elektrisch

Speichergröße256Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Octal I/O, DTR
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung1.65V ~ 2V
Memory Organization32M x 8

Mechanisch

Package / Case16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Hersteller-Gehäuse16-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)