GD25LQ40CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LQ40CEIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON

Aktiv8-XFDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR
Basis-TeilenummerGD25LQ40
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit50µs, 2.4ms

Elektrisch

Speichergröße4Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz104 MHz
Versorgungsspannung1.65V ~ 2.1V
Memory Organization512K x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-USON (2x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)