GD25LQ16ETIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LQ16ETIGR

Speicher & Storage

16MBIT, 1.8V, SOP8 150MIL, INDUS

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit6 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit60µs, 2.4ms

Elektrisch

Speichergröße16Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung1.65V ~ 2.1V
Memory Organization2M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)