GD25LQ128DYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LQ128DYIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON

Aktiv8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR
Basis-TeilenummerGD25LQ128
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit2.4ms

Elektrisch

Speichergröße128Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz120 MHz
Versorgungsspannung1.65V ~ 2V
Memory Organization16M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WSON (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)