Allgemein
| Speichertyp | Non-Volatile |
|---|---|
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Zugriffszeit | 6 ns |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | GD25LE |
| Schreibzykluszeit | 60µs, 2.4ms |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE80EEIGR
DatenblattSpeicher & Storage
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 8Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | FLASH |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O, QPI |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Versorgungsspannung | 1.65V ~ 2V |
| Memory Organization | 1M x 8 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-XFDFN Exposed Pad |
| Hersteller-Gehäuse | 8-USON (3x2) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|