GD25LE64ENIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LE64ENIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8USON

Aktiv8-UDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit6 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieGD25LE
Schreibzykluszeit60µs, 2.4ms

Elektrisch

Speichergröße64Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung1.65V ~ 2V
Memory Organization8M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-UDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-USON (3x4)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)