GD25LE128EWJGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LE128EWJGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON

Aktiv8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit6 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieGD25LE
Schreibzykluszeit60µs, 2.4ms

Elektrisch

Speichergröße128Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung1.65V ~ 2V
Memory Organization16M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WSON (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)