GD25LD80CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LD80CEIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLSH 8MBIT SPI/DUAL I/O 8USON

Aktiv8-XFDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR
Basis-TeilenummerGD25LD80
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit60µs, 6ms

Elektrisch

Speichergröße8Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Dual I/O
Taktfrequenz50 MHz
Versorgungsspannung1.65V ~ 2V
Memory Organization1M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-USON (2x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)