GD25LD20EEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LD20EEIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL 8USON

Aktiv8-XFDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit12 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieGD25LD
Schreibzykluszeit100µs, 6ms

Elektrisch

Speichergröße2Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Dual I/O
Taktfrequenz50 MHz
Versorgungsspannung1.65V ~ 2V
Memory Organization256K x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-USON (3x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)