GD25LD10CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LD10CTIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL I/O 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR
Basis-TeilenummerGD25LD10
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit55µs, 6ms

Elektrisch

Speichergröße1Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Dual I/O
Taktfrequenz50 MHz
Versorgungsspannung1.65V ~ 2V
Memory Organization128K x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)