GD25LB256EWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LB256EWIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON

Aktiv8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit6 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusAktiv
SerieGD25LB
Schreibzykluszeit70µs, 1.2ms

Elektrisch

Speichergröße256Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz166 MHz
Versorgungsspannung1.65V ~ 2V
Memory Organization32M x 8

Mechanisch

Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WSON (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)