Allgemein
| Speichertyp | Non-Volatile |
|---|---|
| Technologie | FLASH - NOR |
| Basis-Teilenummer | GD25D10 |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 50µs, 4ms |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CEIGR
DatenblattSpeicher & Storage
IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8USON
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 1Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | FLASH |
| Memory Interface | SPI - Dual I/O |
| Taktfrequenz | 100 MHz |
| Versorgungsspannung | 2.7V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 128K x 8 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-XFDFN Exposed Pad |
| Hersteller-Gehäuse | 8-USON (2x3) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C~85°C(TA) |
|---|