GD25B64ESIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25B64ESIGR

Speicher & Storage

64MBIT, 3.3V, SOP8 208MIL, INDUS

Aktiv8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit7 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit70µs, 2.4ms

Elektrisch

Speichergröße64Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization8M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)