MUR20005CT

GeneSiC Semiconductor

MUR20005CT

Analog & Leistungselektronik

DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER

ObsoletTwin TowerAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerMUR20005
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
HerstellerGeneSiC Semiconductor
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)75 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 100 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)100A
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 50 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTwin Tower
Hersteller-GehäuseTwin Tower

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C