MSRTA60080A

GeneSiC Semiconductor

MSRTA60080A

Analog & Leistungselektronik

DIODE MODULE GP 800V 600A 3TOWER

AktivThree TowerAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerMSRTA60080
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
HerstellerGeneSiC Semiconductor
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 600 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)600A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 600 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseThree Tower
Hersteller-GehäuseThree Tower

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C