MSRTA200100D

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200100D

Analog & Leistungselektronik

DIODE MODULE GP 1000V 200A

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerMSRTA200
Diode Configuration1 Pair Series Connection
HerstellerGeneSiC Semiconductor
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 200 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)200A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1000 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseModule

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C