Allgemein
| Basis-Teilenummer | MBR200200 |
|---|---|
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Twin Tower |
| Hersteller-Gehäuse | Twin Tower |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|