Allgemein
| Capacitance @ Vr, F | 1101pF @ 1V, 1MHz |
|---|---|
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Serie | SiC Schottky MPS™ |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 30 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 55A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 1200 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-2 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-247-2 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|