Allgemein
| Basis-Teilenummer | GD30MPS06 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 735pF @ 1V, 1MHz |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tube |
| Teilestatus | Aktiv |
| Serie | SiC Schottky MPS™ |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 51A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Mechanisch
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-263-7 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|