Allgemein
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Tube |
| Teilestatus | Aktiv |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Serie | SiC Schottky MPS™ |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Mechanisch
| Package / Case | TO-220-2 |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-220-2 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
|---|