Allgemein
| Basis-Teilenummer | GD2X |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Serie | SiC Schottky MPS™ |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 150 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 150A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 650 V |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Hersteller-Gehäuse | SOT-227 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|