GBU8D

GeneSiC Semiconductor

GBU8D

Analog & Leistungselektronik

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBU

Aktiv4-SIP, GBUAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerGBU8
Diode TypeSingle Phase
HerstellerGeneSiC Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 8 A
Voltage - Peak Reverse (Max)200 V
Current - Average Rectified (Io)8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 200 V

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case4-SIP, GBU
Hersteller-GehäuseGBU

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)