GBU10G

GeneSiC Semiconductor

GBU10G

Analog & Leistungselektronik

BRIDGE 1-PH GBU 400V 10A 150C

Aktiv4-SIP, GBUAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerGBU10
Diode TypeSingle Phase
HerstellerGeneSiC Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max)400 V
Current - Average Rectified (Io)10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 400 V

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case4-SIP, GBU
Hersteller-GehäuseGBU

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)