GBPC3508W

GeneSiC Semiconductor

GBPC3508W

Analog & Leistungselektronik

BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W

Aktiv4-Square, GBPC-WAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerGBPC3508
Diode TypeSingle Phase
HerstellerGeneSiC Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 17.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max)800 V
Current - Average Rectified (Io)35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 800 V

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case4-Square, GBPC-W
Hersteller-GehäuseGBPC-W

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)