Allgemein
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
|---|---|
| Basis-Teilenummer | GA50JT06 |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 600 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 769W (Tc) |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-258-3, TO-258AA |
| Hersteller-Gehäuse | TO-258 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C~225°C(TJ) |
|---|