Allgemein
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 20A |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3091 pF @ 800 V |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 282W (Tc) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-247AB |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C~175°C(TJ) |
|---|