Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A |
|---|---|
| Basis-Teilenummer | GA10SICP12 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1403 pF @ 800 V |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain-Source-Spannung | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 170W (Tc) |
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Hersteller-Gehäuse | TO-263-7 |
| Betriebstemperatur | 175°C(TJ) |
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