GA10JT12-263

Name: GA10JT12-263
Brand: GeneSiC Semiconductor

Analog & Leistungselektronik

TRANS SJT 1200V 25A

AktivAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 10A
Basis-Teilenummer	GA10JT12
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1403 pF @ 800 V
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain-Source-Spannung	1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Max. Verlustleistung	170W (Tc)

Gehäuse	Tube

Betriebstemperatur	175°C(TJ)