Allgemein
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 100A |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400 pF @ 800 V |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 1700 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 535W (Tc) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Hersteller-Gehäuse | SOT-227 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C~175°C(TJ) |
|---|