Allgemein
| Basis-Teilenummer | GA05JT12 |
|---|---|
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 106W (Tc) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Hersteller-Gehäuse | TO-263-7 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 175°C(TJ) |
|---|