Allgemein
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Teilestatus | Aktiv |
| Serie | G3R™, LoRing™ |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 750 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 182W (Tc) |
Mechanisch
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-263-7 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|