Allgemein
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Serie | G3R™ |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 750 V |
|---|
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-247-3 |