Allgemein
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 8A |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 35 V |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 650 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) (158°C) |
| Max. Verlustleistung | 200W (Tc) |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-276AA |
| Hersteller-Gehäuse | TO-276 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C~225°C(TJ) |
|---|