Allgemein
| Basis-Teilenummer | 1N8031 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 650 V |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-276AA |
| Hersteller-Gehäuse | TO-276 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 250°C |
|---|