1N1189

GeneSiC Semiconductor

1N1189

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

AktivDO-203AB, DO-5, StudAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1N1189
HerstellerGeneSiC Semiconductor
MontageartChassis, Stud Mount
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 35 A
Current - Average Rectified (Io)35A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 50 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseDO-203AB, DO-5, Stud
Hersteller-GehäuseDO-5

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 190°C