GPIHV7DK

GaNPower

GPIHV7DK

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

GaNFET N-CH 1200V 7A TO252

AktivTape & Reel (TR)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90 pF @ 700 V
HerstellerGaNPower
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.7V @ 3.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)