SI4467DY

Fairchild Semiconductor

SI4467DY

Analog & Leistungselektronik

P-CHANNEL POWER MOSFET

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8237 pF @ 10 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13.5A (Ta)
Max. Verlustleistung1.2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)