RFD16N05LSM_NL

Fairchild Semiconductor

RFD16N05LSM_NL

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL POWER MOSFET

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 16A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A
Max. Verlustleistung60W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252, (D-Pak)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)