HUFA75639S3ST-F085A

Fairchild Semiconductor

HUFA75639S3ST-F085A

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 56A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 25 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieUltraFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C56A (Tc)
Max. Verlustleistung200W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD2PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)