HUF75945G3

Fairchild Semiconductor

HUF75945G3

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL POWER MOSFET

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs71mOhm @ 38A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs280 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4023 pF @ 25 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Tc)
Max. Verlustleistung310W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247AD

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)