HUF75329P3

Fairchild Semiconductor

HUF75329P3

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 55V 42A TO220-3

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 42A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1060 pF @ 25 V
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieUltraFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C42A (Tc)
Max. Verlustleistung94W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)