HGTP12N60A4D

Fairchild Semiconductor

HGTP12N60A4D

Analog & Leistungselektronik

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge78 nC
EingangstypStandard
HerstellerFairchild Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
Switching Energy55µJ (on), 50µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C17ns/96ns
Test Condition390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)96 A
Power - Max167 W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)